Зведений каталог бібліотек Харкова
Шерченко, А. А. Распределение зарядовых состояний в щели подвижности a-Si:H [Текст] / Московский государственный институт электронной техники // . — C. 7-14.
- Анотація:
Представлена методика моделирования фотопроводимости с учетом прыжкового механизма переноса носителей, позволяющая оценить распределение зарядовых состояний в щели подвижности a-Si:H
- Є складовою частиною документа:
Известия вузов. Электроника. [Текст] // Известия вузов. Электроника ; Министерство образования РФ, Московский государственный институт электронной техники - М. : МИЭТ. — 2007.
- Теми документа
