Приведены результаты двумерного моделирования субмикронных МОП - транзисторов при температурах 40, 80 и 300К.

Известия вузов. Электроника. [Текст] // Известия вузов. Электроника ; Министерство образования РФ, Московский государственный институт электронной техники - М. : МИЭТ. — 2007.

• УДК // Електронні пристрої із використанням властивостей твердого тіла. Напівпровідникові елементи
• УДК // Мікроелектроніка. Інтегральні схеми