Выполено молекулярно-динамическое моделирование распыления одиночных кластеров меди, состоящих из нескольких десятков атомов, с поверхности (1 0 0) медной подложки ионами аргона с энергией 200eV. Получены значения коэффициентов распыления кластеров, исследованы угловые и энергетические распределения распыления атомов, обсуждается роль подложки и влияние атомной структуры кластера на процесс распыления.