Зведений каталог бібліотек Харкова

 

Андреев, М. С.
    Глубокие центры захвата в гетероструктурах для полевых транзисторов на основе GaN [Текст] / М.С. Андреев, Л.Э. Великовский, Т.С. Китиченко та ін. // Радиотехника и электроника. — 2007. — С. 880-887.


Автор: Андреев М.С., Великовский Л.Э., Китиченко Т.С., Колесникова Т.Г., Коровин А.П., Мокеров В.Г., Якунин С.Н.

- Анотація:

Исследованы структурные и электрофизические свойства гетероэпитаксиальных слоев нитрида галлия на сапфировой подложке, полученных методом молекулярно - лучевой эпитаксии

- Є складовою частиною документа:

- Теми документа

  • УДК // Електронні пристрої із використанням властивостей твердого тіла. Напівпровідникові елементи



Наявність
Установа Кількість Документ на сайті установи
Науково-технічна бібліотека Національного аерокосмічного університету ім. М.Є. Жуковського   Перейти на сайт