Васильев, В. В.     Матричный фотоприемник на основе варизонного изотипного P-p-перехода в слоях КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / Институт физики полупроводников им.А.В.Ржанова СО РАН, Новосибирск // Автометрия  : научно-технический журнал / РАН, Сиб. отд-ние; Ин-т автоматики и телеметрии. — С. 17-24.