Овсюк, В. Н.     Обратный ток p-n-переходов с полевым электродом на основе гетероэпитаксиальных структур CdHgTe/GaAs [Текст] / Институт физики полупроводников им.А.В.Ржанова СО РАН, Новосибирск // Автометрия  : научно-технический журнал / РАН, Сиб. отд-ние; Ин-т автоматики и телеметрии. — С. 89-97.