Дворецкий, С. А.     Выращивание квантовых ям HgTe/Cd0,735Hg0,265Te методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / Институт физики полупроводников им.А.В.Ржанова СО РАН, Новосибирск // Автометрия  : научно-технический журнал / РАН, Сиб. отд-ние; Ин-т автоматики и телеметрии. — С. 104-111.