Акчурин, Р. Х.     Влияние упругих напряжений на сегрецию индия в квантово-размерных гетероструктурах InGaAs/GaAs в процессе МОС-гидридной эпитаксии: математическая модель и вычислительный эксперимент [Текст] / Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В.Ломоносова // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 15-21.