Войцеховский, А. В.     Свойства МДП-структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / Сибирский физико-технический институт Томского госуниверситета // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 31-36.