Карандашев, С. А.     Флип-чип фотодиоды на основе InAs, работающие при 20-100 С в интервале длин волн 2,7-3,7 мкм [Текст] / Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 36-38.