Зведений каталог бібліотек Харкова

 

Швец, В. А.
    Определение параметров диэлектрических слоев, имплантированных ионами кремния, с помощью спектральной эллипсометрии [Текст] / Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова // Автометрия  : научно-технический журнал / РАН, Сиб. отд-ние; Ин-т автоматики и телеметрии. — С. 71-80.


- Анотація:

Путем численного моделирования рассмотрена задача определения дозы облучения и энергии ионов при исследовании диэлектрических слоев SiO2, имплантированных ионами Si+, методом спектральной эллипсометрии

- Є складовою частиною документа:

- Теми документа

  • УДК // Поляризація. Подвійне заломлення. Дисперсія в анізотропних середовищах



Наявність
Установа Кількість Документ на сайті установи
Науково-технічна бібліотека Національного аерокосмічного університету ім. М.Є. Жуковського   Перейти на сайт