Установлено, что характер изменения темновой проводимости и фотопроводимости нелегированных пленок a-Si:H под действием освещения зависит от температуры. Показано, что это может быть обусловлено образованием ансамблей фотоиндуцированных быстрых и медленных метастабильных дефектов.
