|
Автор: Кузнецов Ф.А., Смирнова Т.П., Игуменов И.К., Файнер Н.И., Румянцев Ю.М., Косинова М.Л., Яковкина Л.В., Морозова Н.Б., Жерикова К.В., Кеслер В.Г., Кириенко В.В.
-
Анотація:
Для базовых технологий усторойств памяти нового поколения разработаны новые процессы получения диэлектриков с высоким коэффициентом диэлекрической проницаемости на основе пленок диоксида гафния, с низкой диэлектрической проницаемостью на основе пленок карбонитрида кремния.
-
Є складовою частиною документа:
-
Теми документа
-
УДК // Органічна хімія
-
УДК // Хімія високополімерів
|
