Методом наведенного тока в растровом электронном микроскопе исследованы образцы кремния n-типа проводимости, легированного фосфором и компенсированного цинком. Установлено, что структура образца неоднородна:наблюдаются крупномасштабные дефекты размером -10 мкм, обладающие повышенной скоростью рекомбинации неравновесных носителей заряда.
