Зведений каталог бібліотек Харкова
Яременко, Н. Г. Фотолюминисценция эпитаксиальных слоев GaAs, легированных кремнием [Текст] / Институт радиотехники и электроники РАН, Москва // Известия вузов. Электроника. — 2008. — С. 10-19.
Автор: Яременко Н.Г., Карачевцева М.В., Страхов В.А., Галиев Г.Б., Мокеров В.Г.
- Анотація:
Методом фотолюминисцентной спектроскопии исследовано влияние давления мышьяка на амфотерное поведения кремния в процессе выращивания слоев GaAs, легированных кремнием, с ориентациями (100), (111)Ф и (111)В.
- Є складовою частиною документа:
Известия вузов. Электроника. [Текст] // Известия вузов. Электроника ; Министерство образования РФ, Московский государственный институт электронной техники - М. : МИЭТ. — 2008.
- Теми документа
