|
Автор: Гуров Ю.Б., Исаков И.В., Карпухин В.С., Лапушкин С.В., Сандуковский В.Г., Чернышов Б.А.
-
Анотація:
Представлены способы измерения толщины "мертвых" слоев Si(Li) и HPGe детекторов с помощью радиоактивных источников электронов, Y-квантов и а-частиц. Разработанная методика позволяет определить толщину этих слоев с погрешностью не хуже 1%
-
Є складовою частиною документа:
-
Теми документа
-
УДК // Ядерна фізика. Атомна фізика. Молекулярна фізика
| 