На основе зарядовой модели транзистора получены соотношения для расчета эквивалентной проводимости активного двухполюсника. Рассмотрено влияние среднего за период колебания тока транзистора, сопротивления автосмещения, конденсаторов обратной связи, рабочей частоты на имитационные характеристики