Представлены результаты измерений вольт-амперных характеристик (ВАХ) диодов, предназначенных для приемников ИК-излучения с граничной длиной волны л=11мкм, на основе варизонных слоев Hg0,78 Cd0,22 Te, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксиина полуизолирующих подложках GaAs.

Автометрия [Текст] : научно-технический журнал / РАН, Сиб. отд-ние; Ин-т автоматики и телеметрии. — Новосибирск : Изд-во СО РАН.

• УДК // Провідники з дуже великим опором. Напівпровідники