Зведений каталог бібліотек Харкова

 

Ладугин, М. А.
    Особенности легирования углеродом GaAs и AlGaAs в условиях МОС-гидридной эпитаксии [Текст] / ООО "Сигм Плюс" // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2008. — С. 36-40.


Автор: Ладугин М.А., Сухарев А.В., Падалица А.А., Булаев П.В., Мармалюк А.А.

- Анотація:

Изучена система триэтилгаллий - арсин в температурном диапазоне 610-770 С с использованием тетрахлорида углерода в качестве лигатуры. Показано влияние технологических параметров на процесс легирования.

- Є складовою частиною документа:

- Теми документа

  • УДК // Електронні напівпровідники
  • УДК // Неорганічна хімія



Наявність
Установа Кількість Документ на сайті установи
Науково-технічна бібліотека Національного аерокосмічного університету ім. М.Є. Жуковського   Перейти на сайт