|
Автор: Ромака В.А., Стадник Ю.В., Рогл П., Аксельруд Л.Г., Давидов В.М., Ромака В.В., Гореленко Ю.К., Горнь А.М.
-
Анотація:
Досліджено структурні характеристики та виконано розрахунок розподілу щільності електронних станів інтерметалічного напівпровідника ТіСоSb, сильнолегованого донорною домішкою. У запропонованій роботі викладено результати першої частини досліджень впливу значних концентрацій донорної домішки V на зміну кристалічної та зонної структур, а також на розподіл щільності електронних станів інтерметалічного напівпровідника ТіСоSb.
-
Є складовою частиною документа:
-
Теми документа
-
УДК // Електронні напівпровідники
| 