Рассмотрены особенности управляемой передислокации носителей заряда в наноструктурах на основе туннельно-связанных квантовых областей, образованных гетеропереходами GaAs/AlGaAs. Обсуждаются результаты численного моделирования динамики управляемой туннельной передислокации максимума амплитуды волновых функций носителей.
