Рассмотрена процедура оптимизации получения слоев нитридов AiiiN МОС-методом с использованием рентгенодифрактометрического анализа. Установлено, что структурное совершенство слоев, оцениваемое по измерению кривыхкачания, коррелирует с излучательными характеристиками светодиодных структур.