Зведений каталог бібліотек Харкова

 

Камалов, А. Б.
    Влияние активных воздействий на свойства арсенидгаллиевых диодных структур с барьером Шоттки [Текст] / Комплексный институт естественных наук ККО АН РУз // Известия вузов. Радиоэлектроника. — К. : КПИ, 2008. — С. 31-43.


- Анотація:

В данной образной работе кратко проанализированы литературные данные по влиянию внешних воздействий на электрофизические свойства арсенидгаллиевых диодных структур с барьером Шоттки и их стабильности к внешним воздействиям. Обсуждены радиационные изменения свойств арсенидгаллиевых диодных структур с барьером Шоттки, а также эффекты, связанные с малодозовой обработкой

- Є складовою частиною документа:

- Теми документа

  • УДК // Електронні напівпровідники



Наявність
Установа Кількість Документ на сайті установи
Науково-технічна бібліотека Національного аерокосмічного університету ім. М.Є. Жуковського   Перейти на сайт