Рассмотрены особенности микродефектов (МД), образующихся в кристаллах GaAs, выращенных методом вертикальной направленной кристаллизации (ВНК), который имеет ряд принципиальных технологических отличий от методов Чохральского с жидкостной герметизацией расплава (ЧЖГР) и горизонтальной направленной кристаллизации (ГНК), способных оказать существенное влияние на формирование МД.
