Опис документа

Зведений каталог бібліотек Харкова

Опис документа

Телегин, К. Ю.
Исследование влияния температуры роста квантово-размерных гетероструктур AlxGa1-xAs/GaAs на их излучательные характеристики [Текст] / Московская государственная акдемия тонкой химической технологии им.М.В.Ломоносова // . — С. 65-67.

Автор: Телегин К.Ю., Акчурин Р.Х., Сухарев А.В., Сабитов Д.Р., Панин А.А., Падалица А.А., Мармалюк А.А.

- Анотація:

Рассмотрено влияние температуры роста на интенсивность фотолюминисценции эпитаксиальных слоев GaAs, AlGa1-xAs и квантово-размерных гетероструктур AlxGa1-xAs/GaAs.

- Є складовою частиною документа:

Известия вузов. Материалы электронной техники. [Текст] // Известия вузов. Материалы электронной техники ; Министерство образования РФ - М. : МИС и С. — 2008.

- Теми документа

УДК // Електронні напівпровідники

Наявність

Установа Кількість Документ на сайті установи

Науково-технічна бібліотека Національного аерокосмічного університету ім. М.Є. Жуковського Перейти на сайт