|
Автор: Муленко С.А., Кудрявцев Ю.В., Горбачук Н.Т., Лучес А., Карикато А.П., Вейко В.П., Петров А.А., Чуйко В.А.
-
Анотація:
При осаждении тонких пленок и слоев в работе были использованы два метода: импульсное лазерное осаждение (PLD) и лазерно-индуцированный перенос пленок (LIFT). Первый метод основан на использовании излучения эксимерного KrF-лазера. Излучением KrF-лазера производилась абляция материала мишени из CrSi2 или p-FeSi2 с целью получения тонкой пленки или слоя силицида с узкой шириной запрещенной зоны для последующего использования в качестве сенсора. Пленки на основе CrSi2 могут обладать как полупроводниковыми, так и металлическими свойствами в зависимости от параметров осаждения. Показано, что чем выше содержание полупроводниковой фазы в осажденных пленках и слоях, полученных методом PLD и LIFT, тем выше значения термоэдс и коэффициента тензочувствительности.
-
Є складовою частиною документа:
-
Теми документа
-
УДК // Одержання тонких плівок
|
