Приведены результаты исследований эффекта аномально высоких фотоэлектрических напряжений (АФН) в полупроводниковых пленочных системах. Изложена технология изготовления эффективного координатно-чувствительного приемника оптического излучения (ПОИ) из полупроводниковых соединений в виде ступенчатообразной АФН-пленки. На основе этого устройства разработан двухмерный координатно-чувствительный автономный ПОИ, выходной сигнал которого содержит информацию о направлении и величине смещения потока излучения по осям X и Y.

Известия высших учебных заведений. Приборостроение. [Текст] / МО РФ, СПб ГУИТМО. — СПб.

• УДК // Електронні пристрої із використанням властивостей твердого тіла. Напівпровідникові елементи
• УДК // Забезпечення духовних та матеріальних життєвих потреб
• УДК // Фізика