С позиции классической термодинамики Гиббса проанализирован механизм кристаллизации GaN из газовой фазы. При исследовании образования нейтральных комплексов акцепторных примесей с водородои использованы основные положения теории Райса и Дебая -Хюккеля. На основании анализа межмолекулярного взаиомдействия выявлены области нестабильности в системах CaN-InN и GaN-AIN.
