Проведен анализ и численный расчет процессов фоторелаксации и спектральных характеристик фоточувствительности n- и p-областей трехдиодной вертикально интегрированной фотоячейки. Получены зависимости времен фоторелаксации n- и p-областей фотоячейки от длины волны поглощаемого оптического излучения.

Известия вузов. Электроника. [Текст] // Известия вузов. Электроника ; Министерство образования РФ, Московский государственный институт электронной техники - М. : МИЭТ. — 2008.

• УДК // Електронні пристрої із використанням властивостей твердого тіла. Напівпровідникові елементи
• УДК // Мікроелектроніка. Інтегральні схеми