Разработана методика формирования периодических протяженных (до 30 мкм) нанометровых слоев с характерными поперечными размерами 70 нм и глубиной 2-3 нм. Измерена скорость травления пучков ионов галлия , ускоренных напряжением 30 кВ, таких материалов, как GaAs, AlGaN, Al иSi, используемых для создания акустоэлектронных преобразователей.
