Зведений каталог бібліотек Харкова
Шутце, Т. Технологии 3,3 кВ IGBT модулей: в каком направлении развиваться и чего можно достичь? [Текст] / Т. Шутце, Дж. Бирманн, Р. Шпанке, М. Пфафенленер // Электротехника : Научно-технический журнал / Академия Электротехнических наук РФ. — С. 3-8.
- Анотація:
Описан IGBTмодуль, имеющий высокие тепловое и электрическое использование кристалла, устойчивость к перегрузкам и надежность, обеспечивающие совместимость с существующей технологией.
- Є складовою частиною документа:
Электротехника [Текст] : Научно-технический журнал / Академия Электротехнических наук РФ. — М. : Энергоатомиздат, "Электротехника".
- Теми документа
