Представлены результаты экспериментального исследования фотодиодных структур Ni-n-n-In, изготовленных из низкоомного кристалла ZnS:Al (n-область). Высокоомный компенсированный n-слой получен термодиффузией серебра. Фотодиоды обладают инжекционным усилением фототока при прямом смещении 1-10 В.

Известия вузов. Электроника. [Текст] // Известия вузов. Электроника ; Министерство образования РФ, Московский государственный институт электронной техники - М. : МИЭТ. — 2008.

• УДК // Напівпровідникові діоди