Развит алгоритм анализа квазистатических вольтфарадных характеристик структур металл- диэлектрик-полупроводник (МДП) в области обеднения поверхности полупроводника основными носителями заряда, обеспечивающий количественное определение концентрации легирующей примеси, напряжения "плоских зон" и эффективности значений емкости и толщины подзатворного изолятора
