Теоретически исследована возможность нового режима распространения электромагнитных волн и управления их спектром в прямоугольном волноводе, периодически заполненном тонкими слоями InSb. Показано, что основная полоса пропускания такой периодической структуры типа фотонного кристалла лежит одновременно существенно ниже как частоты отсечки собственно волновода, так и частоты, соответствующей плазменному резонансу в полупроводниковом материале
