В режиме счета фотонов исследованы амплитудные распределения импульсов лавинных фотоприемников со структурой "металл - резистивный слой - полупроводник", имеющих площадь фоточувствительной поверхности 7 мм2. Показано, что неоднородности p-n-перехода в области пространственного заряда влияют на форму амплитудных распределений импульсов фототока при увеличении перенапряжения, а также при изменении положения светового пятна на фоточувствительной поверхности. Проведен сравнительный анализ амплитудных характеристик указанных лавинных фотоприемников и серийно выпускаемых лавинных фотодиодов ФД-115л.
