Толщина слоя окисла в нанотранзисторах со структурой металл-окисел-полупроводник (м.о.п.) достигает 20 ?. Физическая диагностика подобных структур традиционными методами вольт-фарадных характеристик (в.ф.х.) невозможна без учета эффектов вырождения и размерного квантования электронного газа, которыми обычно пренебрегают. Между тем, с уменьшением толщины слоя окисла эти эффекты вносят все более существенный вклад в емкость C м.о.п.-структуры не только при C Ci (где Ci - "емкость окисла"), но и при C < Ci. В работе развит общий метод определения по данным анализа в.ф.х. в области слоя обеднения Шотки кардинальных характеристик м.о.п.-структур. В рамках единого эксперимента вне зависимости от толщины слоя окисла и без использования подгоночных параметров и априорных предположений о свойствах электронного газа в слоях обогащения и инверсии находятся с точностью 0.1% уровень легирования, поверхностный потенциал и поверхностный заряд полупроводника, напряжение "плоских зон", емкость окисла Ci, падение напряжения на окисле, знак и плотность фиксированного в нем заряда. Этапы и итоги реализации метода демонстрируют результаты экспериментов, выполненных на n-Si-м.о.п.-структуре с толщиной слоя окисла 171.2 ?.
