Представлены результаты испытаний при высоких температурах быстродействующего фотоприемника на основе нанографитной пленки, выращенной на кремниевой подложке. Исследована зависимость оптоэлектрического сигнала фотоприемника от температуры T в диапазоне 300-800 K в условиях вакуума. Экспериментально показано, что в интервале температур 300-625 K чувствительность фотоприемника при увеличении T уменьшается примерно на 30%. При дальнейшем увеличении температуры амплитуда оптоэлектрического сигнала спадает по линейному закону и уменьшается в 2 раза по сравнению с комнатной при T = 740 K. Экстраполяция экспериментальных данных показывает, что оптоэлектрический отклик фотоприемника исчезает при температурах >1000 K.
