Разработаны различные конструкции оптических сенсоров газов и газоанализаторов на их основе с использованием маломощных полупроводниковых источников ИК-излучения на длины волн 2,5—5,0 мкм, изготовленных на базе гетероструктур InGaAs/InAs и InAsSbP/InAs. Приведены экспериментальные результаты, демонстрирующие возможность применения полупроводниковых источников ИК-излучения в оптических сенсорах для измерения концентрации метана (CH4) и диоксида углерода (CO2).
