Предложен неитерационный численный метод расчета зависимости барьерной емкости ионно-имплантированных структур GaAs от напряжения на барьере Шоттки. Выявлены особенности низко- и высокочастотной вольтфарадной характеристики этих структур, обусловленные наличием глубоких центров захвата.

Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : научно-технич. журнал / АО "Нептун". — Одесса.

• УДК // Ніздрювата структура. Плівки, Тонкі плівки. Променеві структури