Рассмотрены принципы построения и технология создания матричных фотоприемных устройств ультрафиолетового излучения на основе природного алмаза. Проведены измерения спектральных, вольт-амперных характеристик, темновых токов и токов утечки при различных прикладываемых напряжениях для линейчатых (2?64) и матричных (64?64) фотоприемных устройств. Показано, что поверхностные токи утечки играют доминирующую роль в ограничении фоточувствительности данных структур. Обнаружен значительный разброс темнового тока и фототока матричных фотоприемников на основе натурального алмаза, связанных с неоднородностью дефектной структуры.
