Исследована зависимость времени восстановления тока trr от параметров отжига диодных структур после их облучения электронами е– с энергией 4 и 10 МэВ флюэнсами 6·1015 и 8·1014 см–2, соответственно. Диоды с минимальным временем trr и максимальным коэффициентом формы Кrr тока восстановления получены при отжиге структур после облучения е– с энергией 4 МэВ и флюэнсом 6·1015 см–2. Время trr уменьшается при увеличении отношения концентрации центров рекомбинации Е3(0,37) к концентрации других дефектов. При этом для кремния, легированного при помощи трансмутационных ядерных реакций, необходимо повышать температуру отжига по сравнению с кремнием Чохральского и зонной плавки.
