Исследованы фотоэлектрические характеристики созданных двухсторонне чувствительных двухбазовых Ag–N0Al0,2Ga0,8As–n+GaAs–n0Ga0,9In0,1As–Au-структур в фотодиодном и фотовольтаическом режимах при воздействии излучением, определяемом областью собственного поглощения каждого из гетерослоев. Полученные структуры представляют интерес как бесшумные фотоприемники для опто- и микроэлектроники.

Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : научно-технич. журнал / АО "Нептун". — Одесса.

• УДК // Електронні напівпровідники
• УДК // Неорганічна хімія