Зведений каталог бібліотек Харкова
Варавин, В. С. Образование акцепторных центров при воздействии окислительно-восстановительных сред на поверхность пленок CdxHg1-xTe [Текст] / Институт физики полупроводников СО РАН, г.Новосибирск // . — С. 3-10.
- Анотація:
Исследовано влияние окислительно-восстановительных сред на образование акцепторных центров центров в пленках CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs(301)
- Є складовою частиною документа:
Известия вузов. Электроника [Текст] // Известия вузов. Электроника ; Министерство образования РФ, Московский государственный институт электронной техники - М. : МИЭТ. — 2008.
- Теми документа
