Контроль величины омического сопротивления «скры­тых слоев» n+-типа с использованием математической модели на основе элементарной ячейки эквивалентной сосредоточенной проводимости с разбиением по двум координатам позволяет обеспечить существенное уменьшение разброса численных значений токов инжекторов И2Л-БИС по поверхности кристалла и уменьшить общую площадь кристалла за счет сокращения суммарной площади металлизации шин питания.

Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : научно-технич. журнал / АО "Нептун". — Одесса.

• УДК // Електронні пристрої із використанням властивостей твердого тіла. Напівпровідникові елементи
• УДК // Мікроелектроніка. Інтегральні схеми