Описываются результаты феноменологического исследования на базе in-situ-метода УФ-спектроскопии состава газовой фазы в области источников GaAs, GaP, In, Ga, In/Ga прямоточного горизонтального реактора. Экспериментальные результаты используются, чтобы проанализировать рост слоев GaAs:Bi, GaAs1–хPх, In1–хGaхAs, InхGa1–хAsуP1–у низкотемпературным изотермическим газотранспортным методом хлоридной эпитаксии. Полученные данные дают возможность определять температуру и интервал скоростей потока газа носителя H2 для формирования перенасыщенной газовой фазы при низкотемпературном росте гетеро- и наноструктур на базе слоев GaAs, GaAs1–хPх, In1–хGaхAs, InхGa1–хAsуP1–у.
