Рассматриваются резонансно-туннельные диоды (РТД) на основе двойных и тройных соединений нитридов AIN, GaN, InN с большим количеством энергетических уровней в квантовых ямах. Рассчитаны вольтамперные характеристики резонансно-туннельных диодов с числом уровней в квантовой яме до пяти.

Радиофизика и электроника [Текст] : сб. науч. тр. / НАН Украины, Ин-т радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова ; редкол. : Яковенко В. М. (гл. ред.) и др. — Харьков : ИРЭ НАН Украины, 2005. — 490 с.

• УДК // В напівпровідникових матеріалах
• УДК // Напівпровідникові діоди