Моделируется смеситель СВЧ сигналов на основе резких лавинных Ge, Si и GaAs p-n переходов. В качестве математической модели используються урвнения диффузионно-дрейфовой модели (ДДМ) полупроводников. Решение уравнений ДДМ находится модифицированным методом встречных прогонок.

Радиофизика и электроника [Текст] : сб. науч. тр. / НАН Украины, Ин-т радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова ; редкол. : Яковенко В. М. (гл. ред.) и др. — Харьков : ИРЭ НАН Украины, 2005. — 490 с.

• УДК // Електронні пристрої із використанням властивостей твердого тіла. Напівпровідникові елементи
• УДК // Фізика