Проанализированы методы устранения дефектов топологии интегральных микросхем на фотошаблонах. Выявлены наиболее эффективные методы устранения прозрачных и непрозрачных дефектов при производстве фотошаблонов под уровень ИС с нормами до 90 нм.

Известия вузов. Электроника. [Текст] // Известия вузов. Электроника ; Министерство образования РФ, Московский государственный институт электронной техники - М. : МИЭТ. — 2008.

• УДК // Виробництво інтегральних мікросхем та мікроелектронних приладів