На основе анализа исследований фоторефрактивного элемента предложены новые методикилокальных измерений коээфициента поглощения света на длине волны излучения накачки и коэффициента влияния концентрации неравновесных носителей заряда на коэффициент преломления света на длине волны зондирующего излучения.

Известия вузов. Электроника. [Текст] // Известия вузов. Электроника ; Министерство образования РФ, Московский государственный институт электронной техники - М. : МИЭТ. — 2008.

• УДК // Властивості та структура молекулярних систем
• УДК // Електронні напівпровідники