Приведены разработанная упрощенная технология получения пленок Si с фотоэлектретным состоянием, возникающием без внешнего поляризующего поля в результате одного лишь освешения, основанная на термической обработке пленок в воздухе, экспериментальные исследования и физическая интерпетация полученных результатов на основе модели с двумя глубокими уровнями.
